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J-GLOBAL ID：200903036054867786

ポジ型レジスト組成物

Inventor：
佐藤 健一郎

About 佐藤 健一郎

, 
菅崎 敦司

About 菅崎 敦司

, 
國田 一人

About 國田 一人


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  栗宇 百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002209680
Publication number (International publication number)：2004053822
Application date： Jul. 18, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：
【課題】超LSIや高容量マイクロチップの製造等の超マイクロリソグラフィプロセスやその他のフォトファブリケーションプロセスに於いて好適に使用することができ、ラインエッジラフネスが良好なポジ型レジスト組成物、また更にコンタクトホールパターン形成において解像力及びデフォーカスラチチュード、露光マージンにも優れたポジ型レジスト組成物を提供することである。【解決手段】特定の繰り返し単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)溶剤及び(D)界面活性剤を含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
(A)下記一般式(I)で表される繰り返し単位を有する酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増加する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)溶剤及び(D)界面活性剤を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (3)：
G03F7/039 ,  C08F20/26 ,  H01L21/027
FI (3)：
G03F7/039 601 ,  C08F20/26 ,  H01L21/30 502R
F-Term (29)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL29P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA11Q ,  4J100BA20R ,  4J100BC02Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA38 ,  4J100DA39 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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