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J-GLOBAL ID：200903036086150913

ハーフトーンマスクの製造方法

Inventor： 渡▲辺▼ 晋生
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998244265
Publication number (International publication number)：2000075466
Application date： Aug. 31, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 従来のプロセスでは、ハーフトーンマスク製造の歩留まりが小さい。O2 プラズマによるアッシングレートが不安定になるためである。アッシングレートが小さい場合、中間調レジストを除去できないため、ハーフトーンマスクを作製できない。【解決手段】 石英基板1上にモリブデンシリサイド膜2、クロム膜3及び電子ビームレジスト4を順次形成する。次に、電子ビームレジストの一部が現像によっても所定の膜厚だけ残存する第1描画領域と、電子ビームレジスト4が現像により完全に除去される第2描画領域とを形成する。次に、現像後、第2描画領域4bが完全に除去された電子ビームレジスト4をマスクにクロム膜3をエッチングした後、第1描画領域のレジストが所定の膜厚になるまでアッシングを行う。次に、パターニングされたクロム膜3をマスクにモリブデンシリサイド膜2をパターニングすると同時に、第1描画領域の電子ビームレジスト4aを完全に除去する。次に、電子ビームにより描画されていない電子ビームレジスト4をマスクにクロム膜3をパターニングする。

Claim (excerpt)：

透明基板上に半透明膜を有し、且つ、該半透明膜上に遮光膜を有するブランクマスクに電子ビームレジストを塗布する工程と、電子ビームの電荷量を制御することにより、上記電子ビームレジストの一部が現像によっても所定の膜厚だけ残存する第1描画領域と、上記電子ビームレジストが現像により完全に除去される第2描画領域とを形成する工程と、現像により、上記電子ビームレジストが2階調の膜厚になるようにパターニングを行う工程と、上記第2描画領域が完全に除去された電子ビームレジストをマスクに上記遮光膜をエッチングし、所定パターンの遮光膜を形成した後、アッシングにより上記第1描画領域の電子ビームレジストを完全に除去する工程と、上記パターニングされた遮光膜をマスクに上記半透明膜をパターニングする工程と、電子ビームにより描画されていない上記電子ビームレジストをマスクに上記遮光膜をパターニングする工程とを有することを特徴とする、ハーフトーンマスクの製造方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 B ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 528 ,  H01L 21/30 572 A

F-Term (8)：

2H095BB01 ,  2H095BB09 ,  2H095BB10 ,  2H095BB17 ,  2H095BC01 ,  2H095BC24 ,  5F046AA25 ,  5F046CB17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開平4-344645
  
• フォトマスク及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-133835   Applicant：シャープ株式会社

Cited by examiner (1)

• 特開平4-344645