半導体発光素子およびその製法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996128187
Publication number (International publication number)：1997312442
Application date： May. 23, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 MOCVD装置でGaN系半導体層のエッチングを可能にし、GaN系半導体層のエピタキシャル成長の途中でエッチング工程の必要な電流注入領域を画定する電流阻止層が発光層の近くに形成された半導体発光素子およびその製法を提供する。【解決手段】基板1上に形成されたチッ化ガリウム系化合物半導体からなり、少なくとも第1導電型の半導体層(n型クラッド層3)および第2導電型の半導体層(p型クラッド層5)を有する発光層(活性層4およびクラッド層3、5)と、該発光層の近傍に第2導電型の半導体層内に設けられ、電流を流す領域が除去された第1導電型の電流阻止層7と、前記第1導電型の半導体層および第2導電型の半導体層にそれぞれ接続される電極11、12とを有する。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたチッ化ガリウム系化合物半導体からなり、少なくとも第1導電型および第2導電型の半導体層を有する発光層と、該発光層の近傍で第2導電型の半導体層内に設けられ、電流を流す領域が除去された第1導電型の電流阻止層と、前記第1導電型および第2導電型の半導体層にそれぞれ接続される電極とを有する半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (3)：

H01S 3/18 , H01L 21/205 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-239252 Applicant：ローム株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-040238 Applicant：シャープ株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-222920 Applicant：日亜化学工業株式会社

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Cited by examiner (1)

半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-239252 Applicant：ローム株式会社

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