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J-GLOBAL ID：200903088050328708

半導体レーザ

Inventor： 田中 治夫 ,  尺田 幸男
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994239252
Publication number (International publication number)：1996107247
Application date： Oct. 03, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ストライプ溝が形成された電流阻止層を有する半導体レーザにおいて、ストライプ溝以外への電流のもれを防止し、発光効率の向上した半導体レーザを提供する。【構成】 活性層5を上下両面から挟む上下クラッド層4、6の少なくとも一方の層中に、電流路となるストライプ溝を有する電流阻止層7a、7b、7cを備えたダブルヘテロ接合構造の半導体レーザであって、前記電流阻止層が、該電流阻止層周囲のクラッド層の導電型と異なる導電型の層を分離して2層以上有する。

Claim (excerpt)：

活性層を上下両面から挟む上下クラッド層の少なくとも一方の層中に、電流路となるストライプ溝を有する電流阻止層を備えたダブルヘテロ接合構造の半導体レーザであって、前記電流阻止層が、該電流阻止層周囲のクラッド層の導電型と異なる導電型の層を分離して2層以上有する半導体レーザ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-162476   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平2-116185
  
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-179198   Applicant：株式会社東芝
• 薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-055962   Applicant：株式会社東芝
• 特開平2-116185