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J-GLOBAL ID：200903036111488002

炭化珪素体

Inventor： 山田 裕丈 ,  村井 真 ,  古久保 浩 ,  大橋 玄章
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000104379
Publication number (International publication number)：2000351615
Application date： Apr. 06, 2000
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】高純度であって、かつ相対密度の高い緻密質の炭化珪素体において、その電気抵抗率を上昇させる。【解決手段】炭化珪素多結晶からなる炭化珪素体であって,炭化珪素の純度が99.9999重量%以上であり、相対密度が99%以上であり、珪素の比率が70.12重量%以上である。好ましくは、炭化珪素体の室温での電気抵抗率が100000Ω・cm以上であり、炭化珪素結晶の平均粒径が5μm以下であり、炭化珪素体が化学的気相成長法によって成膜されている。

Claim (excerpt)：

炭化珪素多結晶からなる炭化珪素体であって,炭化珪素の純度が99.9999重量%以上であり、相対密度が99%以上であり、珪素の比率が70.12重量%以上であることを特徴とする、炭化珪素体。

IPC (4)：

C01B 31/36 601 ,  C01B 31/36 ,  C04B 35/565 ,  C23C 16/42

FI (4)：

C01B 31/36 601 F ,  C01B 31/36 601 Z ,  C23C 16/42 ,  C04B 35/56 101 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 新規な光透過性の自立β-SiCとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-283398   Applicant：シーブイディー,インコーポレイティド
• ガラス製光学素子成形用型
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-041948   Applicant：日本タングステン株式会社
• 高電気抵抗及び高熱伝導再結晶SiC焼結体及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-072644   Applicant：日本碍子株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Heteroepitaxial Growth of SiC films on AlN/Al2O3 substrates