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J-GLOBAL ID:200903036159351149
固体撮像装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999091726
Publication number (International publication number):2000286405
Application date: Mar. 31, 1999
Publication date: Oct. 13, 2000
Summary:
【要約】【課題】 光電変換部に蓄積された信号電荷を低電圧駆動の読み出しトランジスタにより完全読み出しすることができ、感度の向上及び雑音の低減をはかる。【解決手段】 pウェル20の内部に設けられ、光電変換して得られた信号電荷を蓄積するn型のフォトダイオード(PD)21と、このPD21の一端に隣接してウェルの上に設けられたゲート電極22と、このゲート電極22のPD21とは反対側のウェル表面部に設けられたn型のドレイン領域23と、PD21の上部に設けられたp型の表面シールド層25とを備えた固体撮像装置において、PD21のゲート電極側の上部にPD21に接して、かつゲート電極22と一部が重なるように、n型の埋め込みゲート層24が設けられている。
Claim (excerpt):
第1導電型の半導体基板又はウェルの内部に設けられ、光電変換して得られた信号電荷を蓄積する第2導電型の光電変換部と、この光電変換部の一端に隣接して前記基板又はウェルの上に設けられたゲート電極と、このゲート電極の前記光電変換部とは反対側の前記基板又はウェルの表面部に設けられた第2導電型のドレイン領域と、前記光電変換部の前記ゲート電極側の上部に該光電変換部に接して設けられた第2導電型の埋め込みゲート層とを具備してなることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2):
FI (2):
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 E
F-Term (21):
4M118AA01
, 4M118AA05
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA18
, 4M118EA06
, 4M118EA14
, 4M118FA06
, 4M118FA25
, 4M118FA32
, 4M118FA33
, 4M118FA42
, 5C024AA01
, 5C024CA05
, 5C024CA12
, 5C024FA01
, 5C024GA01
, 5C024GA26
, 5C024GA42
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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固体画像センサ用の部分的ピン止めフォトダイオード
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-007072
Applicant:イーストマンコダックカンパニー
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固体撮像装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-087380
Applicant:株式会社東芝
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