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J-GLOBAL ID：200903036203289960

磁気抵抗効果素子

Inventor： 上口 裕三 ,  佐橋 政司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997252168
Publication number (International publication number)：1998150232
Application date： Sep. 17, 1997
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】 大きな出力を示し、しかも増幅作用が得られる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 互いにpn接合を形成するように設けられたn型エミッタ層(3)、p型ベース層(2)およびn型コレクタ層(4)と、n型エミッタ層に接して形成されたエミッタ強磁性層(5)と、p型ベース層に接して形成されたベース強磁性層(1)と、エミッタ強磁性層を通してn型エミッタ層とp型ベース層との間に順方向バイアス電圧を印加する電源(6)と、n型コレクタ層とp型ベース層に逆方向バイアス電圧を印加する電源(7)と、ベース強磁性層を通してp型ベース層へ小数キャリヤーを注入するようにバイアス電圧を印加する電源(8)とを有する磁気抵抗効果素子。

Claim (excerpt)：

互いにpn接合を形成するように設けられた第1導電型の第1の半導体層、第2導電型の第2の半導体層および第1導電型の第3の半導体層と、第1導電型の第1の半導体層に接して形成された第1の強磁性層と、第2導電型の第2の半導体層に接して形成された第2の強磁性層と、第1の強磁性層を通して第1導電型の第1の半導体層と第2導電型の第2の半導体層との間に順方向バイアス電圧を印加する手段と、第1導電型の第3の半導体層と第2導電型の第2の半導体層との間に逆方向バイアス電圧を印加する手段と、第2の強磁性層を通して第2の半導体層へ小数キャリヤーを注入するようにバイアス電圧を印加する手段とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (2)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09

FI (2)：

H01L 43/08 S ,  G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-242468   Applicant：株式会社東芝