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J-GLOBAL ID:200903036235715309

ウエーハの分割方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005191914
Publication number (International publication number):2007012878
Application date: Jun. 30, 2005
Publication date: Jan. 18, 2007
Summary:
【課題】ストリートに配設されたテスト用の金属パターンの影響を受けることなく個々のデバイスに分割することができるとともに、分割されたデバイスの構成を検出することができないようにしたウエーハの分割方法を提供する。【解決手段】ウエーハ2に対して透過性を有するパルスレーザー光線をウエーハ2の裏面からテスト用の金属パターン23の近傍に集光点Pを位置付けてストリートに沿って照射し、テスト用の金属パターン23に破断線を形成する金属パターン破断工程と、ウエーハ2に対して透過性を有するパルスレーザー光線をウエーハ2の裏面からウエーハ2の内部における破断線の上側に集光点Pを位置付けてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部における破断線の上側にストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、変質層が形成されたウエーハ2に外力を付与し、ウエーハ2を変質層に沿って個々のチップに分割する分割工程とを含む。【選択図】図4
Claim (excerpt):
表面に格子状に形成されたストリートによって複数の領域が区画され、この区画された領域に複数のデバイスが形成されており、ストリートにテスト用の金属パターンが配設されているウエーハの分割方法であって、 ウエーハを裏面を上側にして保持し、ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線をウエーハの裏面から該テスト用の金属パターンの近傍に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し、該テスト用の金属パターンに破断線を形成する金属パターン破断工程と、 ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線をウエーハの裏面からウエーハの内部における該破断線の上側に集光点を位置付けて該ストリートに沿って照射し、ウエーハの内部における該破断線の上側に該ストリートに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、 該変質層が形成されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを該変質層に沿って個々のチップに分割する分割工程と、を含む、 ことを特徴とするウエーハの分割方法。
IPC (4):
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/38 ,  B23K 26/40
FI (6):
H01L21/78 B ,  H01L21/78 L ,  B23K26/00 D ,  B23K26/38 320 ,  B23K26/40 ,  B23K26/00 H
F-Term (7):
4E068AD01 ,  4E068AE01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA04 ,  4E068CD01 ,  4E068DA10
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 特許第3408805号公報
Cited by examiner (1)

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