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J-GLOBAL ID：200903091430556216

レーザ光線を利用した半導体ウエーハの分割方法

Inventor： 永井 祐介 ,  小林 賢史
Applicant, Patent owner： 株式会社ディスコ
Agent (2)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003182150
Publication number (International publication number)：2005019667
Application date： Jun. 26, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：

【課題】レーザ光線(18)を利用して半導体ウエーハ(2)を、その表面(8)の矩形領域(12)に形成されている回路(14)の汚染を充分に回避乃至抑制して、そしてまたその表面の矩形領域等に欠けを生成せしめることなく、ストリート(10)に沿って充分精密に分割することができる方法を提供する。【解決手段】半導体基板(4)の裏面(20)と表面(8)との一方側からレーザ光線を照射して、半導体基板の裏面と表面との他方乃至その近傍に集光せしめ、半導体基板の少なくとも裏面と表面との他方から所定深さまでの部分を部分的に変質せしめる。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

表面上には格子状に配列された複数個のストリートによって複数個の矩形領域が区画され、該矩形領域の各々には回路が形成されている半導体基板から構成されている半導体ウエーハを、該ストリートに沿って分割する方法において、 該半導体基板の裏面と表面との一方側からレーザ光線を照射して、該半導体基板の裏面と表面との他方乃至その近傍に集光せしめ、少なくとも該半導体基板の裏面と表面との該他方から所定深さまでの部分を部分的に変質せしめること、及び 該半導体基板と該レーザ光線とを該ストリートに沿って相対的に移動せしめること、 該半導体基板に外力を加えて該ストリートに沿って破断せしめること、 を含むことを特徴とする分割方法。

IPC (1)：

H01L21/301

FI (1)：

H01L21/78 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭53-114347
  
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-033797   Applicant：株式会社明電舎
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-033617   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭53-114347