Pat
J-GLOBAL ID:200903036293835705

超電導磁石装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995336023
Publication number (International publication number):1997153408
Application date: Nov. 30, 1995
Publication date: Jun. 10, 1997
Summary:
【要約】【課題】広い開口を備え、磁場漏洩が少なく、軽量で、かつ、高い磁場強度において広い均一磁場領域を達成できる超電導磁石装置を提供することを目的とする。【解決手段】超電導磁石装置の静磁場発生源は均一磁場の発生領域を挟んで対向配置された2組の超電導コイル群で構成され、各組のコイル群は、一定の方向の電流を流す主コイルと、主コイルとは逆方向の電流を流す打ち消しコイルと、磁場均一度を補正する補正用コイルとからなる。主コイルと打ち消しコイルの直径はほぼ等しく、補正用コイルの直径は主コイルの直径よりも小さく、補正用コイルの電流量は主コイルの電流量よりも小さく、主コイル間の対向距離は打ち消しコイル間の対向距離よりも短くなっている。
Claim (excerpt):
超電導特性を有する物質から構成され、有限の領域に第1の方向に向かう均一磁場を発生させるための電流を流す磁場発生源と、該磁場発生源を超電導特性を示す温度にまで冷却し、維持するための冷却手段と、前記磁場発生源を支持するための支持手段とを具備する超電導磁石装置において、前記磁場発生源は、前記均一磁場領域を挟んで前記第1の方向に沿ってほぼ等距離に対向して配置され、前記第1の方向を中心軸として同軸方向の電流を流す2組の磁場発生素子群から構成され、各磁場発生素子群は前記均一磁場の主成分を発生させるために前記第1の方向を中心軸とする円に沿う第2の方向に流れる電流を流す1個以上の第1の磁場発生素子と、前記超電導磁石装置の外部に発生する磁場を低減するために前記第2の方向と逆の方向に流れる電流を流す1個以上の第2の磁場発生素子と、前記均一磁場の均一度を改善するために前記第2の方向と同じ、または逆の方向に流れる電流を流す1個以上の第3の磁場発生素子とから構成され、前記第1の磁場発生素子と前記第2の磁場発生素子の直径がほぼ等しく、前記第3の磁場発生素子の直径は前記第1の磁場発生素子の直径よりも小さく、前記第3の磁場発生素子に流す電流量は前記第1の磁場発生素子に流す電流量よりも小さく、前記第1の磁場発生素子の前記均一磁場領域を挟んで対向する距離が前記第2の磁場発生素子の前記均一磁場領域を挟んで対向する距離よりも短いことを特徴とする超電導磁石装置。
IPC (3):
H01F 6/00 ZAA ,  A61B 5/055 ,  H01F 7/20
FI (3):
H01F 7/22 ZAA A ,  H01F 7/20 C ,  A61B 5/05 310
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
  • 特開昭61-172040
  • 特表平4-504067
  • 特開昭63-043649
Show all

Return to Previous Page