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J-GLOBAL ID：200903036343465971

半導体装置の製造方法

Inventor： 門村 新吾
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997099387
Publication number (International publication number)：1998289952
Application date： Apr. 16, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 低誘電率の炭化水素系の有機系絶縁膜を用いた層間絶縁膜に、高精度に接続孔や溝配線用溝を形成する工程を有する、半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 エッチングマスクとして、シリコーン含有レジストマスクあるいは表層シリル化レジストマスクを用い、酸素系ガスによりプラズマエッチングする。【効果】 エッチングマスク表面が酸素プラズマ照射によりSiOx 化し、エッチング耐性が向上する。したがって、有機系絶縁膜とレジストマスクとのエッチング選択比が高まり、高精度のパターニングが実現する。

Claim (excerpt)：

有機系絶縁膜を含む層間絶縁膜をパターニングする工程を有する半導体装置の製造方法において、前記パターニング工程のエッチングマスクとして、シリコーン含有レジストマスクおよび表層シリル化レジストマスクのうちのいずれか一方を用い、酸素系ガスによりプラズマエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (5)：

H01L 21/90 M ,  H01L 21/28 M ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/88 D ,  H01L 21/90 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-340783   Applicant：東京エレクトロン株式会社