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J-GLOBAL ID：200903036396713080

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 小林 清輝
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 宮田 金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997117027
Publication number (International publication number)：1998308361
Application date： May. 07, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 絶縁膜の絶縁破壊を抑制することができ、半導体装置の信頼性を向上することが可能な半導体装置を得る。【解決手段】 このPMOSトランジスタは、P型シリコン基板1、P型シリコン基板1の一主面上に形成された素子分離酸化膜2、P型シリコン基板1の主面に形成されたNウエル3、P型シリコン基板1の主面上に形成され、窒素を含んだゲート酸化膜4、P型にドープされ、且つ窒素がドープされている、ゲート酸化膜4上に形成された多結晶シリコン膜からなるゲート電極5、PMOSトランジスタのゲート電極5の両側面に設けられたサイドウオール酸化膜6、及び、ゲート電極5を挟んでP型シリコン基板1の主面に形成され、P型にドープされたソースとドレイン7を具備する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板の一主平面上に、当該シリコン基板をN2Oガス又はN2OとO2の混合ガス雰囲気中で熱酸化することにより形成された絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成され、窒素及びP型ドーパントが添加された電極とを備えた半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/283 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/316 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/283 C ,  H01L 21/28 301 A ,  H01L 21/316 S ,  H01L 29/78 301 P