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J-GLOBAL ID：200903036414405428
半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993115898
Publication number (International publication number)：1994330323
Application date： May. 18, 1993
Publication date： Nov. 29, 1994
Summary：
【要約】【目的】 減圧CVD法によりシリコン酸化膜を生成する半導体装置製造装置及びそのクリーニング方法を得ることを目的とする。【構成】 半導体装置製造装置の石英管3及び真空排気配管13に無水HFガス及びClF3ガス並びにキャリアガスである窒素ガスを300Torr〜700Torrの圧力で導入し、これらの内壁に付着した反応性ガスの堆積物を除去する。この圧力は、減圧手段であるアスピレーター26を用いて容易に調節することができる。【効果】 石英管3及び真空排気配管13の内壁に付着した反応性ガスの堆積物を除去し、パーティクルを低減して信頼性の高い半導体装置を製造できる。
Claim (excerpt)：
半導体ウエハを収容する反応チャンバと、上記反応チャンバに接続され上記反応チャンバ内に反応性ガスを導入する反応性ガス導入手段と、上記反応チャンバに接続された真空排気配管と、上記真空排気配管に接続され上記反応チャンバ及び上記真空排気配管内を排気する真空排気手段と、上記反応チャンバ及び上記真空排気配管の少なくとも一方に接続されこれらの反応チャンバ又は真空排気配管に無水HFガスを導入する無水HFガス導入手段と、上記反応チャンバ及び上記真空排気配管の少なくとも一方に接続されこれらの反応チャンバ又は真空排気配管にハロゲン間化合物ガスを導入するハロゲン間化合物ガス導入手段と、上記反応チャンバ及び上記真空排気配管の少なくとも一方に接続されこれらの反応チャンバ又は真空排気配管にキャリアガスを導入するキャリアガス導入手段とを備えたことを特徴とする半導体装置製造装置。
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (11)
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