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J-GLOBAL ID：200903036448331962

フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物

Inventor： 後河内 透 ,  沖野 剛史 ,  浅川 鋼児 ,  信田 直美 ,  舩木 克典 ,  堤 聖晴 ,  宝来 晃 ,  井上 慶三
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝 ,  ダイセル化学工業株式会社
Agent (1)： 後藤 幸久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999312329
Publication number (International publication number)：2001131232
Application date： Nov. 02, 1999
Publication date： May. 15, 2001
Summary：

【要約】【課題】 優れた透明性、アルカリ可溶性及び密着性を具備するだけでなく、高いエッチング耐性をも備えた高分子化合物を得る。【解決手段】 高分子化合物は、下記式(I)【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2及びR3は、同一又は異なって、水素原子又はヒドロキシル基を示す)で表される少なくとも1種のモノマー単位を含む。この高分子化合物は、前記モノマー単位と、下記式(IIa)及び(IIb)【化2】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R4及びR5は、水素原子、ヒドロキシル基、オキソ基、カルボキシル基などを示す。但し、R4及びR5は同時に水素原子であることはない。R7及びR8は、同一又は異なって、水素原子、ヒドロキシル基又はオキソ基を示す)から選択された少なくとも1種のモノマー単位とを含んでいてもよい。

Claim (excerpt)：

下記式(I)【化1】(式中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2及びR3は、同一又は異なって、水素原子又はヒドロキシル基を示す)で表される少なくとも1種のモノマー単位を含む高分子化合物。

IPC (6)：

C08F 20/18 ,  C08F 2/48 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/04 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (6)：

C08F 20/18 ,  C08F 2/48 ,  C08K 5/00 ,  C08L 33/04 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (65)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AA14 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB13 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002BG071 ,  4J002EB116 ,  4J002EE036 ,  4J002EQ016 ,  4J002EU026 ,  4J002EU186 ,  4J002EV216 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002EV326 ,  4J002EW046 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J002GQ05 ,  4J011RA03 ,  4J011SA21 ,  4J011SA63 ,  4J011SA78 ,  4J011SA83 ,  4J011SA87 ,  4J011UA01 ,  4J011VA01 ,  4J011WA01 ,  4J100AJ02R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA11R ,  4J100BA16Q ,  4J100BA16R ,  4J100BA20Q ,  4J100BA20R ,  4J100BC08R ,  4J100BC09P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC09R ,  4J100BC12R ,  4J100BC53Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-050264   Applicant：富士通株式会社
• 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-211370   Applicant：富士写真フイルム株式会社