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J-GLOBAL ID：200903073940956911

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法

Inventor：
武智 敏

About 武智 敏

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小太刀 明子

About 小太刀 明子

, 
高橋 真

About 高橋 真


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996050264
Publication number (International publication number)：1997073173
Application date： Mar. 07, 1996
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】 現像時のクラックの発生やパターンの剥離を低減可能な化学増幅型レジスト材料を提供することを目的とする。【解決手段】 脂環式炭化水素基を含有しかつその基の炭素原子に低級アルキル基が結合している部分を含む保護されたアルカリ可溶性基を有し、そしてそのアルカリ可溶性基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなるように、構成する。
Claim (excerpt)：
次式(I)〜(VI)のいずれかにより表される脂環式炭化水素基含有部分:【化1】(上式において、RI は、1〜4個の炭素原子を有する直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基を表し、置換もしくは非置換のいずれであってもよく、そしてZは、記載の炭素原子とともに脂環式炭化水素基を完成するのに必要な複数個の原子を表す)【化2】(上式において、RIIは、同一もしくは異なっていてもよく、1〜4個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基又は脂環式脂環式炭化水素基を表し、但し、RIIの少なくとも1個は脂環式炭化水素基である)【化3】(上式において、RIIは前記定義に同じである)【化4】(上式において、RIII は、同一もしくは異なっていてもよく、プロトン、1〜4個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、RIII の少なくとも1個は脂環式炭化水素基であり、また、式中、非二重結合の炭素原子に結合した2個のRIII のうち少なくとも1個は、1〜4個の炭素原子を有する置換もしくは非置換の直鎖もしくは分岐鎖のアルキル基又は脂環式炭化水素基である)【化5】(上式において、RIIは前記定義に同じである)【化6】(上式において、RI 及びZは前記定義に同じである)で保護されたアルカリ可溶性基を有しかつ前記アルカリ可溶性基が酸により脱離して当該化合物をアルカリ可溶性とならしめる構造単位を含む酸感応性化合物と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含んでなることを特徴とするレジスト材料。
IPC (3)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/312
FI (3)：
G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/312
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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