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J-GLOBAL ID:200903036547402804

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993212582
Publication number (International publication number):1995066318
Application date: Aug. 27, 1993
Publication date: Mar. 10, 1995
Summary:
【要約】【目的】 半導体装置の実装の際に、半導体装置に加えられる各種ストレスを可及的に減少し得るバンプを具備する半導体装置を提供する。【構成】 樹脂製基板10の基板面に設けられた導体パターン12、12・・と、外部の回路基板等との接続が、導体パターン12、12・・に設けられた低融点金属から成るバンプによってなされる半導体装置において、該基板面から柱状に突出した、樹脂製のバンプ基部14の表面を被覆する、導体パターン12、12・・から延出された導体層16の表面が、バンプ基部14を形成する樹脂の融点又は分解温度よりも低温で溶融する金属層18によって被覆されて成るバンプが、樹脂製基板10に形成されていることを特徴とする。
Claim (excerpt):
基板面に設けられた導体パターンと、前記基板上に搭載された半導体チップ及び/又は外部の回路基板等との接続が、前記導体パターンに設けられた低融点金属から成るバンプによってなされる半導体装置において、該基板面から柱状に突出した、樹脂製のバンプ基部の表面の少なくとも一部が、前記導体パターンから延出された導体層によって覆われ、且つ前記導体層の表面が、前記バンプ基部を形成する樹脂の融点又は分解温度よりも低温で溶融する、金属層によって被覆されて成るバンプが、前記基板面に形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 23/12 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/321
FI (2):
H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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