半導体装置及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大西健治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000031952
Publication number (International publication number)：2001077329
Application date： Feb. 09, 2000
Publication date： Mar. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】電気特性が安定した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板10上に形成されたスピンオングラス膜18を備える。スピンオングラス膜18は、基層18aおよび表層18bからなる積層構造を有し、表層18bが基層18aに比較して緻密化されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主表面近傍の第1ないし第3の領域に第1ないし第3の不純物拡散領域を各々形成する工程と、前記第1の領域と前記第2の領域との間の、前記主表面近傍の第4の領域上方に第1のゲート電極を形成する工程と、前記第2の領域と前記第3の領域との間の、前記主表面近傍の第5の領域上方に第2のゲート電極を形成する工程と、前記第1及び前記2のゲート電極の側壁に保護膜を形成する工程と、前記半導体基板上全面にスピンオングラス層を形成する工程と、前記スピンオングラス層の表面部を前記スピンオングラス層の下部よりも緻密な層に変換する工程と、前記第2の領域上方に位置する前記緻密な層を第1のエッチングで除去する工程と、前記緻密な層をマスクとして前記スピンオングラス層の下部を第2のエッチングで除去し、前記第2の不純物拡散領域を露出する工程と、前記第2の不純物拡散領域上に導電材料を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (10)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/265 , H01L 21/28 , H01L 21/316 , H01L 21/768 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (8)：

H01L 27/10 671 Z , H01L 21/28 L , H01L 21/316 G , H01L 21/265 Y , H01L 21/90 P , H01L 27/08 102 D , H01L 27/10 681 B , H01L 29/78 301 Y

F-Term (63)：

4M104BB28 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD10 , 4M104EE02 , 4M104EE15 , 4M104FF06 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 5F033JJ01 , 5F033KK01 , 5F033NN29 , 5F033QQ18 , 5F033QQ19 , 5F033QQ25 , 5F033QQ60 , 5F033RR09 , 5F033SS21 , 5F033TT01 , 5F033VV11 , 5F033VV16 , 5F040EH08 , 5F040EK01 , 5F040FA07 , 5F040FC15 , 5F040FC22 , 5F040FC23 , 5F040FC27 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG12 , 5F048DA27 , 5F058AA04 , 5F058AC03 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AG06 , 5F058AH02 , 5F058BA07 , 5F058BA09 , 5F058BD01 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH01 , 5F058BH15 , 5F058BJ01 , 5F058BJ02 , 5F083AD31 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083MA03 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR07 , 5F083PR23 , 5F083PR29 , 5F083PR36 , 5F083ZA10 , 5F083ZA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置のコンタクトホール形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-236748 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-260443 Applicant：富士通株式会社

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