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J-GLOBAL ID：200903036666471970

スイッチング可能な電磁遮蔽材

Inventor：
吉村 和記

About 吉村 和記

, 
佐野 三郎

About 佐野 三郎


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005372010
Publication number (International publication number)：2007173692
Application date： Dec. 26, 2005
Publication date： Jul. 05, 2007
Summary：
【課題】スイッチングできる電磁遮蔽材を提供する。【解決手段】水素を含む雰囲気と、酸素を含む雰囲気に晒すことにより、電磁波の遮蔽状態をスイッチングすることのできる多層薄膜材料であって、(1)上記薄膜が、希土類金属、希土類金属とマグネシウムの合金、マグネシウムと遷移金属の合金、マグネシウムの中から選ばれるいずれかの金属薄膜から成るスイッチング層を有する、(2)上記薄膜の表面に触媒層が形成されている、(3)任意の構成として、上記触媒層の上に保護層が形成されている、ことを特徴とする薄膜材料、及び電磁遮蔽材。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
水素を含む雰囲気と、酸素を含む雰囲気に晒すことにより、電磁波の遮蔽状態をスイッチングすることのできる多層薄膜材料であって、(1)上記薄膜が、希土類金属、希土類金属とマグネシウムの合金、マグネシウムと遷移金属の合金、及びマグネシウムの中から選ばれるいずれかの金属薄膜から成るスイッチング層を有する、(2)上記薄膜の表面に触媒層が形成されている、(3)任意の構成として、上記触媒層の上に保護層が形成されている、ことを特徴とする薄膜材料。
IPC (2)：
H05K 9/00 ,  B32B 15/01
FI (2)：
H05K9/00 V ,  B32B15/01 Z
F-Term (26)：
4F100AB01A ,  4F100AB01B ,  4F100AB09A ,  4F100AB16A ,  4F100AB24B ,  4F100AB31A ,  4F100AG00 ,  4F100AT00C ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH66 ,  4F100EJ58 ,  4F100JD02C ,  4F100JD05C ,  4F100JD08 ,  4F100JD08D ,  4F100JG04D ,  4F100JL08B ,  4F100JM02A ,  4F100YY00A ,  5E321BB23 ,  5E321BB53 ,  5E321GG05 ,  5E321GH01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
  • スイッチング装置及びその使用
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願平8-536323   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
  • 光スイッチングデバイス
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願平10-512393   Applicant：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
  • 米国特許2002/0044717 A1
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Cited by examiner (2)

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