GaN結晶膜、III族元素窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金田暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999211044
Publication number (International publication number)：2000349338
Application date： Jun. 22, 1999
Publication date： Dec. 15, 2000
Summary：

【要約】【課題】歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくいGaN結晶膜を提供する。【解決手段】サファイア基板上に複数の成長領域を形成するようにストライプ状にパターニングされたマスクを有し、この成長領域から成長したGaN結晶がマスクを介して隣合う成長領域から成長したGaN結晶と合体してマスクを覆って成るGaN結晶膜であって、マスク上の結晶領域に、ストライプ方向に沿って走る複数の転位が基板面のほぼ法線方向に配列した欠陥を有し、ストライプ方向に対して垂直な断面で見たとき、基板面にほぼ平行な方向に伝播してきた転位が、マスク上で結晶が合体した箇所の近傍において基板面のほぼ法線方向に伝播しているGaN結晶膜。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に複数の成長領域を形成するようにストライプ状にパターニングされたマスクを有し、該成長領域から成長したGaN結晶が該マスクを介して隣り合う成長領域から成長したGaN結晶と合体して該マスクを覆って成るGaN結晶膜であって、該マスク上の結晶領域に、ストライプ方向に沿って走る複数の転位が基板面のほぼ法線方向に配列した欠陥を有し、ストライプ方向に対して垂直な断面で見たとき、基板面にほぼ平行な方向に伝播してきた転位が、該マスク上で結晶が合体した箇所の近傍において基板面のほぼ法線方向に伝播している転位を有することを特徴とするGaN結晶膜。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 21/205

F-Term (27)：

5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA23 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA64 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045BB13 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045DA67 , 5F045DB02 , 5F045HA04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

化合物半導体単結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-063295 Applicant：新日本製鐵株式会社
半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-181197 Applicant：沖電気工業株式会社, 技術研究組合新情報処理開発機構

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