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J-GLOBAL ID：200903036698056991

エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置

Inventor： 高見 博道 ,  松本 一高 ,  堀田 康之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995146335
Publication number (International publication number)：1996337634
Application date： Jun. 13, 1995
Publication date： Dec. 24, 1996
Summary：

【要約】【目的】 硬化物のリ-ドフレ-ムとの密着性が良好なエポキシ樹脂組成物及びこの樹脂組成物で樹脂封止された、耐リフロ-クラック性に優れた樹脂封止型半導体装置を提供すること。【構成】 (a)ビフェニル型エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂組成物と、(b)フェノール樹脂硬化剤と、(c)メルカプト基を有する化合物と、(d)樹脂組成物中90wt%を超える量の無機充填剤と、(e)硬化促進剤とを含むエポキシ樹脂組成物及びこの樹脂組成物の硬化物により半導体チップを封止した樹脂封止型半導体装置。

Claim (excerpt)：

(a)下記一般式(1)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂と、(b)硬化剤と、(c)メルカプト基を有する化合物と、(d)無機質充填剤と、(e)硬化促進剤とを必須成分として含有し、樹脂組成物中前記(d)無機充填剤を90wt%を越える量含有していることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。【化1】(式中、Rは水素原子またはメチル基を示し、R1 〜R8 はそれぞれ水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、フェニル基、クロル原子及びブロム原子からなる群より選ばれる基を示し、同一でも異なっていてもよい。nは0〜5の整数を示す。)

IPC (4)：

C08G 59/20 NHQ ,  C08G 59/40 NJK ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3)：

C08G 59/20 NHQ ,  C08G 59/40 NJK ,  H01L 23/30 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-055423
  
• 半導体封止用樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-296445   Applicant：新日鐵化学株式会社