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J-GLOBAL ID：200903036719015247

タンタルを含む高誘電体膜の形成方法

Inventor： 長谷川 利昭
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994072505
Publication number (International publication number)：1995263431
Application date： Mar. 17, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】リーク特性や耐圧を一層改善することができるTaを含む高誘電体膜の形成方法を提供する。【構成】高誘電体膜の形成方法は、タンタル(Ta)を含む高誘電体膜を基体上に形成した後、少なくとも窒素(N)を含むガスを用いて高誘電体膜にプラズマ処理を行う。あるいは又、少なくとも窒素(N)を含むガス、並びにタンタル(Ta)を含むガスを原料ガスとして用い、タンタル(Ta)を含む高誘電体膜を基体上にCVD法にて形成する。

Claim (excerpt)：

タンタルを含む高誘電体膜を基体上に形成した後、少なくとも窒素を含むガスを用いて該高誘電体膜にプラズマ処理を行うことを特徴とする高誘電体膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/314 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-367515
  
• 特開平2-250970
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-027061   Applicant：日本電気株式会社