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J-GLOBAL ID：200903036726289336

GaN単結晶基板の劈開性の判定方法とGaN単結晶基板

Inventor：
上松 康二

About 上松 康二


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001104129
Publication number (International publication number)：2002299741
Application date： Apr. 03, 2001
Publication date： Oct. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】 GaNウエハを実際に劈開することなく劈開性の良否を非破壊で判定する方法を与えること。【解決手段】 GaNウエハの光弾性効果を測定して、歪値C(σ1-σ2)が5×10-5以下であれば劈開性が良好であり、これを越えると劈開性不良と判定する。
Claim (excerpt)：
GaN単結晶基板の全面に単色光をあて光弾性効果によって歪値を測定し、測定した歪値の面内での最大値が、5×10-5以下であれば劈開性が良好であると判定し、5×10-5を越えれば劈開性が不良であると判定することを特徴とするGaN単結晶基板の劈開性の判定方法。
IPC (4)：
H01S 5/02 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/66 ,  H01S 5/323 610
FI (4)：
H01S 5/02 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/66 L ,  H01S 5/323 610
F-Term (11)：
4G077AA02 ,  4G077AB10 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CB30 ,  5F073DA32 ,  5F073HA10 ,  5F073HA11 ,  5F073HA12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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