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J-GLOBAL ID：200903045830115390

窒化物半導体レーザ素子

Inventor：
杉本 康宜

About 杉本 康宜


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998220878
Publication number (International publication number)：2000058972
Application date： Aug. 04, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】【課題】 劈開により形成された鏡面状の良好な共振面を有し、連続発振をしてもLD特性の低下しにくく、歩留まり良く得られる窒化物半導体レーザ素子を提供することである。【解決手段】 窒化物半導体基板5上に、少なくともn側窒化物半導体層、活性層45及びp側窒化物半導体層を順に積層し、p側窒化物半導体層側からエッチングして形成されたリッジ形状のストライプを有し、ストライプ上にp電極51が形成され、前記窒化物半導体基板5が、50〜300μmの膜厚であり、前記共振面が、ストライプ長さ方向に対して垂直な方向にp側窒化物半導体層側からエッジスクライブした後にブレーキングによって劈開して形成される。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体基板上に、少なくともn側窒化物半導体層、活性層及びp側窒化物半導体層を順に積層し、p側窒化物半導体層側からエッチングして形成されたリッジ形状のストライプを有し、ストライプ上にp電極が形成された窒化物半導体レーザ素子であって、前記窒化物半導体基板が、50〜300μmの膜厚であり、前記共振面が、ストライプ長さ方向に対して垂直な方向にp側窒化物半導体層側からエッジスクライブした後にブレーキングによって劈開して形成された劈開面であることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 5/30 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
F-Term (18)：
5F041AA40 ,  5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F073AA13 ,  5F073AA22 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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