半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996187470
Publication number (International publication number)：1998032208
Application date： Jul. 17, 1996
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：

【要約】【課題】レジストが付いた半導体装置を電界鍍金するため、鍍金浴がレジストにより汚染される。また、半田バンプを形成した後に、強い酸化力を有するエッチング液でバリアメタル等をエッチングするため、半田バンプにダメージが入る。【解決手段】 Ni層7bを選択的にエッチングし、露出された密着層Ti上に酸化膜8を形成する。その後、レジストを除去し、半田電界鍍金処理によりNi層7b上に選択的に半田6を析出させる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁膜上に設けられたパッド電極上に、前記パッド電極との密着層である第1の金属層と、バリア層であり半田との密着層である第2の金属層を順次形成する工程と、前記第2の金属層上にレジストを塗布し、前記パッド電極上に前記レジストが残存するようにパターニングを行い、前記レジストをマスクとして前記第2の金属層を酸化力の強いエッチング液によりエッチングし、前記第1の金属層の露出された表面に酸化膜を形成する工程と、前記レジストを除去する工程と、半田電界鍍金処理により前記第2の金属層上に選択的に半田を析出させる工程と、前記半田をマスクとして前記第1の金属層をエッチングする工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (3)：

H01L 21/92 604 Q , H01L 21/92 603 D , H01L 21/92 604 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

半導体装置の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-291679 Applicant：ローム株式会社
突起電極の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-332509 Applicant：カシオ計算機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-279399 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (2)

半導体装置の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-291679 Applicant：ローム株式会社
突起電極の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-332509 Applicant：カシオ計算機株式会社

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