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J-GLOBAL ID：200903036756419765

レジストパターン形成方法

Inventor： 細野 隆之
Applicant, Patent owner： 東京応化工業株式会社
Agent (5)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006347464
Publication number (International publication number)：2008159874
Application date： Dec. 25, 2006
Publication date： Jul. 10, 2008
Summary：

【課題】パターンの転写再現性に優れ、かつ高解像性のレジストパターンを形成できる新規なレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明は、支持体上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しフォトマスクを介して選択的露光を複数回行うレジストパターン形成方法であって、前記選択的露光毎のレジスト膜の露光部幅は、前記フォトマスクの透光部幅よりも大きいことを特徴とするレジストパターン形成方法である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

支持体上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しフォトマスクを介して選択的露光を複数回行うレジストパターン形成方法であって、 前記選択的露光毎のレジスト膜の露光部幅は、前記フォトマスクの透光部幅よりも大きいことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (1)：

H01L 21/027

FI (2)：

H01L21/30 502C ,  H01L21/30 514A

F-Term (18)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA04 ,  2H025FA17 ,  5F046AA13 ,  5F046CB17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-201310   Applicant：東京応化工業株式会社