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J-GLOBAL ID：200903036759783700
薄膜形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梶山 佶是 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993156045
Publication number (International publication number)：1994349747
Application date： Jun. 02, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 可燃性および/または爆発性を有する原料を使用することなく、高アスペクト比の配線パターンに良好なステップカバレージのシリコン酸化膜をプラズマCVD装置で形成する方法を提供する。【構成】 プラズマCVD法において、液体のテトラエチルオルソシリケートおよび液体の過酸化水素を気化させ、気体状のテトラエチルオルソシリケートおよび気体状の過酸化水素の混合ガスとして反応炉に供給し、該反応炉内のウエハ表面にシリコン酸化膜を形成させる。
Claim (excerpt)：
プラズマCVD法において、液体のテトラエチルオルソシリケートおよび液体の過酸化水素を気化させ、気体状のテトラエチルオルソシリケートおよび気体状の過酸化水素の混合ガスとして反応炉に供給し、該反応炉内のウエハ表面にシリコン酸化膜を形成させることを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23C 16/40
, C23C 16/50
