薄膜デバイスの転写・製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲葉良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999375812
Publication number (International publication number)：2001189460
Application date： Dec. 28, 1999
Publication date： Jul. 10, 2001
Summary：

【要約】【解決課題】従来の2度転写技術を利用した薄膜デバイスの転写・製造方法において、上記課題を解決するために、一回目の転写を行う際、被転写層を元基板から容易に剥離又は分離することができる薄膜デバイスの転写・分離技術を提供する。【解決手段】元基板上に形成された被転写層を第1の転写基板に転写し、さらに、当該被転写層を第2の転写基板に転写してなる薄膜デバイスの転写方法であって、前記第1の転写基板を前記第2の転写基板より硬いものから選択してなる。

Claim (excerpt)：

元基板上に形成された被転写層を第1の転写基板に転写し、さらに、当該被転写層を第2の転写基板に転写してなる薄膜デバイスの転写方法において、前記第1の転写基板を前記第2の転写基板より硬いものから選択してなる薄膜デバイスの転写方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/1365 , H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (4)：

H01L 21/02 B , H01L 27/12 B , H01L 29/78 627 D , G02F 1/136 500

F-Term (54)：

2H092JA25 , 2H092JA29 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA43 , 2H092JA46 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092KA04 , 2H092KA07 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA10 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA22 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA31 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD07 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE09 , 5F110EE41 , 5F110FF02 , 5F110FF21 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HL03 , 5F110NN02 , 5F110PP03 , 5F110QQ12 , 5F110QQ16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

柔軟な構造を有する半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-021421 Applicant：日本電信電話株式会社
薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-193080 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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