薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997193080
Publication number (International publication number)：1999026733
Application date： Jul. 03, 1997
Publication date： Jan. 29, 1999
Summary：

【要約】【課題】薄膜デバイスの製造時に使用する基板と、例えば製品の実使用時に使用する基板とを、独立に自由に選択でき、しかも薄膜デバイスの製造時の積層順序を維持したまま、実使用時の基板に薄膜デバイスを転写することを可能とする新規な技術を提供すること【解決手段】信頼性が高く、かつレーザー光が透過可能な基板(100)上にアモルファスシリコンなどの第1分離層(120)を設けておき、その基板上にTFT等の薄膜デバイス(140)を形成する。さらに、薄膜デバイス(140)上に熱溶融性接着層などの第2分離層(160)を形成し、その上に一次転写体(180)形成する。例えば光照射で第1分離層の結合力を弱めて基板を除去することで、薄膜デバイスが一次転写体に一次転写される。さらに、露出した薄膜デバイスの下面に接着層(190)を介して二次転写体(200)を接合する。そして、第2分離層を例えば熱溶融させて結合力を弱め、一次転写体を除去する。これにより、薄膜デバイスは二次転写体に二次転写される。

Claim (excerpt)：

基板上に第1分離層を形成する第1工程と、前記第1分離層上に薄膜デバイスを含む被転写層を形成する第2工程と、前記被転写層上に第2分離層を形成する第3工程と、前記第2分離層上に一次転写体を接合する第4工程と、前記第1分離層を境にして、前記被転写層より前記基板を除去する第5工程と、前記被転写層の下面に二次転写体を接合する第6工程と、前記第2分離層を境にして、前記被転写層より前記一次転写体を除去する第7工程と、を有し、前記薄膜デバイスを含む前記被転写層を二次転写体に転写することを特徴とする薄膜デバイスの転写方法。

IPC (4)：

H01L 27/12 , G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 27/12 B , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 626 C , H01L 29/78 626 Z , H01L 29/78 627 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特表平6-504139
半導体基体とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-264386 Applicant：キヤノン株式会社
半導体板形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-010980 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク

Show all

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Laser beam application to thin film transistors

Return to Previous Page