プラズマエッチング方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高橋光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994064265
Publication number (International publication number)：1995273093
Application date： Apr. 01, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 MIS型半導体装置の微細なゲート電極を単極式静電チャックを用いつつ、Br系等のガスによりプラズマエッチングする場合において、下地ゲート絶縁膜のダメージを防止するとともに、エッチング終了後の希フッ酸洗浄におけるゲート絶縁膜の増速エッチングを防止する。【構成】エッチング終了後の被エッチング基板の除電ステップにXeのプラズマ放電を用いる。またオーバーエッチングへの切り替えのタイミングを下地ゲート絶縁膜が露出する前に設定する。【効果】 Xeのプラズマ発光の主スペクトルラインは、従来除電ガスとして用いてきたHeのそれより長波長側にあり、フォトンエネルギが小さい。このためVUV光照射によるダメージが低減される。またゲート絶縁膜露出前に低イオンエネルギの条件に切り替えるので、ゲート絶縁膜のイオンダメージを防止できる。

Claim (excerpt)：

単極式静電チャックにより被エッチング基板を基板ステージに静電吸着しつつ、下地絶縁膜上のSi系材料層をパターニングするプラズマエッチング方法において、パターニング終了後の該被エッチング基板の除電ステップは、除電ガスのプラズマ発光の主スペクトルラインのフォトンエネルギが、Heのプラズマ発光の主スペクトルラインのフォトンエネルギより小さな除電ガスのプラズマ放電によることを特徴とする、プラズマエッチング方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/302 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 21/302 N , H01L 21/302 Z , H01L 21/302 E , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-243188
プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-059366 Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社
半導体の表面処理方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-082984 Applicant：東京エレクトロン株式会社, 堀池靖浩

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