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J-GLOBAL ID:200903037023181564

ターゲットおよびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 静男 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995241064
Publication number (International publication number):1997071860
Application date: Sep. 20, 1995
Publication date: Mar. 18, 1997
Summary:
【要約】【課題】 一般式In2O3(ZnO)m(m=2〜7)で表される六方晶層状化合物を含み、かつInとZnの原子比[In/(In+Zn)]が0.2〜0.9である酸化物の焼結体からなり、体積抵抗率が10-2Ωcm以下であることを特徴とするターゲット。【解決手段】 本発明のターゲットは、これを製膜に使用したときに得られる透明導電膜が導電性、耐湿熱性に優れているだけでなく、製膜使用時に異常放電および割れがないという効果を有する。
Claim (excerpt):
一般式In2O3(ZnO)m(m=2〜7)で表される六方晶層状化合物を含み、かつInとZnの原子比[In/(In+Zn)]が0.2〜0.9である酸化物の焼結体からなり、体積抵抗率が10-2Ωcm以下であることを特徴とするターゲット。
IPC (5):
C23C 14/34 ,  C01G 9/02 ,  C01G 15/00 ,  C04B 35/495 ,  C23C 14/08
FI (5):
C23C 14/34 A ,  C01G 9/02 A ,  C01G 15/00 B ,  C23C 14/08 K ,  C04B 35/00 J
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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