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J-GLOBAL ID:200903037046645061

磁電変換素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995265207
Publication number (International publication number):1997106913
Application date: Oct. 13, 1995
Publication date: Apr. 22, 1997
Summary:
【要約】【課題】 この構成によって、出力の上限は外部磁場と無関係な界面での電流密度に依存し、磁場に対する感度は素子を構成している強磁性体の磁化モーメントが磁場に対してどのように変化するかに依るため、素子の特性をこれら独立な二つのパラメータにより決める事ができる。【解決手段】 1つ、もしくは2つの磁性体と非磁性体を交互に連結し、直列に電流を流すスピン偏極誘起部と、スピン偏極誘起部中の非磁性体に接続された磁性体とそこに接続された検知器からなる、スピン偏極検知部とを兼ね備えさせた構成を有している。
Claim (excerpt):
磁性体F1と、F1に接続された非磁性体Nと、駆動バイアスもしくは電流を印加する電場印加部Viとが直列な電流回路をなすスピン偏極誘起部、及び、Nを介してF1に接続された少なくとも一つの磁性体F2j(j≧1)と、F2jに誘起されたバイアスもしくは電流を検知する検知器D、からなるスピン偏極検知部より構成され、F1の磁化モーメントM1とF2jの磁化モーメントM2jがなす角θjのうち少なくとも一つが外部磁場に応じて変化し、かつ、F1とF2jのNを介した接続距離dNjが1nm以上1mm以下である磁電変換素子。
IPC (4):
H01F 10/06 ,  G01R 33/02 ,  G11B 5/127 ,  H01L 43/00
FI (4):
H01F 10/06 ,  G01R 33/02 A ,  G11B 5/127 ,  H01L 43/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
  • 薄膜磁気ヘッド
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-300681   Applicant:株式会社東芝
  • スピン相互作用素子
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-219595   Applicant:株式会社日立製作所
  • 特開平2-061572
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