ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：小栗昌平 , 本多弘徳 , 市川利光 , 高松猛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005097975
Publication number (International publication number)：2006276657
Application date： Mar. 30, 2005
Publication date： Oct. 12, 2006
Summary：

【課題】通常露光時に於ける、パターン現像後のレジスト膜厚減少、及び、パターンプロファイル劣化が改善され、更には、液浸露光時に於ける、液浸液へのレジスト成分の溶出が改善され、液浸露光後のレジストパターンの倒れ、プロファイルの劣化が改善されたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】 (A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(F)塩基性基を有する界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

(A)酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、(C)塩基性基を有する界面活性剤を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/039 , G03F 7/004 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F7/039 601 , G03F7/004 504 , H01L21/30 502R

F-Term (11)：

2H025AA03 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB41 , 2H025CC04 , 2H025FA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開昭57-153433号公報
パターン形成方法及びその露光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-008136 Applicant：株式会社日立製作所
特公昭63-49893号公報

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