強誘電体薄膜キャパシタの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994178819
Publication number (International publication number)：1996055967
Application date： Jul. 29, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の製造工程で頻繁に使用されるスパッタ法や電子ビーム蒸着法を用いても、リーク電流が増加しない強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【構成】スパッタ法や電子ビーム蒸着法等により強誘電体薄膜(5)の表面に上部電極(6)を形成した後に、酸化性雰囲気中で熱処理し、前記強誘電体薄膜の酸素空孔をアニールすることにより、リーク電流が小さく歩留りが高いキャパシタ用強誘電体薄膜を形成する。

Claim (excerpt)：

強誘電体薄膜を有するキャパシタにおいて、前記強誘電体薄膜の表面に上部電極を形成した後に、酸化性雰囲気中で熱処理し、前記強誘電体薄膜の酸素空孔をアニールすることにより、リーク電流を減少させる工程を含むことを特徴とする強誘電体薄膜キャパシタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/203 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035838 Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
強誘電体コンデンサ及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-099773 Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション

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