排ガス処理方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：川合誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997186898
Publication number (International publication number)：1999028334
Application date： Jul. 11, 1997
Publication date： Feb. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】脱離ガスに多量のアンモニアガスが含まれることがないようにし、排ガス処理装置のコストを低くし、占有面積を小さくする。【解決手段】硫黄酸化物及び窒素酸化物を含有する排ガスを処理する排ガス処理方法に適用される。アンモニアガスNH3 が注入された排ガスを、炭素質触媒が充填(てん)され、かつ、下方に移動させられる移動層反応器12に供給し、前記炭素質触媒と接触させて脱硫及び脱硝を行う排ガス処理工程と、前記移動層反応器12から排出された炭素質触媒を、再生装置13の低温側に供給し、該再生装置13の加熱部において加熱し、脱離ガスを脱離させた後、再生装置13の高温側から排出する脱離工程とを有する。前記再生装置13に配設された分離帯において、炭素質触媒を、表面に還元性表面化合物が生成される温度で1時間以上滞留させる。

Claim (excerpt)：

硫黄酸化物及び窒素酸化物を含有する排ガスを処理する排ガス処理方法において、(a)アンモニアガスが注入された排ガスを、炭素質触媒が充填され、かつ、下方に移動させられる移動層反応器に供給し、前記炭素質触媒と接触させて脱硫及び脱硝を行う排ガス処理工程と、(b)前記移動層反応器から排出された炭素質触媒を、再生装置の低温側に供給し、該再生装置の加熱部において加熱し、脱離ガスを脱離させた後、再生装置の高温側から排出する脱離工程とを有するとともに、(c)前記再生装置に配設された分離帯において、前記炭素質触媒を、表面に還元性表面化合物が生成される温度で1時間以上滞留させることを特徴とする排ガス処理方法。

IPC (4)：

B01D 53/60 , B01D 53/74 , B01D 53/86 , B01D 53/94

FI (3)：

B01D 53/34 132 Z , B01D 53/36 D , B01D 53/36 102 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

排ガスの処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-246727 Applicant：住友重機械工業株式会社
脱硫脱硝用炭素材の再生賦活方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-332871 Applicant：電源開発株式会社, 三井鉱山株式会社

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