半導体装置におけるCVD膜形成方法およびその装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992000787
Publication number (International publication number)：1993182955
Application date： Jan. 07, 1992
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置におけるCVD膜(主として酸化膜)を有機シリケート材と酸素により形成する方法に関するもので、その工程の時間を短縮するとともに、より均質化された膜を得ることを目的とするものである。【構成】前記目的のため本発明は、CVD膜形成装置にそのCVD膜を均質化するためのガス(実施例としてはH2 Oガス)を導入するバブラー3を設け、該装置内に半導体基板8を載置し、第1ステップとして、有機シリケート材(実施例ではTEOS)1と酸素2とを供給して前記基板8上にCVD膜を形成し、第2ステップとして、前記有機シリケート材1の供給を停止し、前記CVD膜表面を均質化するためのガス(実施例はH2 Oガス)を供給してCVD膜表面を均質化し、第3ステップとして、再度有機シリケート材1を供給してCVD膜を形成するようにしたものである。

Claim (excerpt)：

(a)CVD膜育成装置内に半導体基板を載置し、該装置内に有機シリケート材と酸素とを供給して、前記半導体基板上にCVD膜を形成する工程と、(b)前記CVD膜が形成された後、前記有機シリケート材の供給を停止し、前記CVD膜の表面を均質化する工程と、(c)前記CVD膜表面を均質化した後、再度有機シリケート材を供給してCVD膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置におけるCVD膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 21/31

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭60-150672
特開昭63-076352
特開平2-285636

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