ZnO膜及びその製造方法並びに発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中野雅房
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001302673
Publication number (International publication number)：2003104794
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Apr. 09, 2003
Summary：

【要約】【課題】大型の基板にもp型のZnO膜を容易に成膜することができるZnO膜及びその製造方法などを提供することにある。【解決手段】 ZnにY2O3をドーピングしてZnメタルターゲットを作製し、このZnメタルターゲットを用いて、ArとN2の混合ガス雰囲気中で、RFマグネトロンスパッタによりサファイア基板上にZnO膜を成膜する。この結果、p型ZnO膜を得ることができた。

Claim (excerpt)：

ZnOを主材料としてIII族の元素とV族の元素がドープされていることを特徴とするZnO膜。

IPC (4)：

C30B 29/16 , H01L 21/203 , H01L 21/205 , H01L 33/00

FI (4)：

C30B 29/16 , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 33/00 D

F-Term (42)：

4G077AA03 , 4G077BB07 , 4G077DA05 , 4G077DA11 , 4G077DA12 , 4G077DA14 , 4G077DB01 , 4G077DB08 , 4G077FD02 , 4G077SB03 , 4G077TB05 , 4G077TC16 , 4G077TC19 , 5F041CA02 , 5F041CA41 , 5F041CA49 , 5F041CA55 , 5F041CA57 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA77 , 5F045AA03 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AB22 , 5F045AF09 , 5F045BB04 , 5F045BB09 , 5F045BB16 , 5F045CA11 , 5F103AA04 , 5F103AA05 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH04 , 5F103JJ01 , 5F103KK10 , 5F103LL02 , 5F103RR01 , 5F103RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

強磁性p型単結晶酸化亜鉛およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-247959 Applicant：科学技術振興事業団

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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