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J-GLOBAL ID：200903037141803413

SOI基板の製造方法

Inventor：
中嶋 健

About 中嶋 健

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須藤 充

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中井 哲弥

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冨澤 憲治

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Applicant, Patent owner：
三菱マテリアルシリコン株式会社

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Agent (1)： 須田 正義
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997358759
Publication number (International publication number)：1999191617
Application date： Dec. 26, 1997
Publication date： Jul. 13, 1999
Summary：
【要約】【課題】 酸化膜上に形成された半導体層に結晶欠陥が少なく、この半導体層の結晶性が高く、これによりデバイスの特性を低下させず、高い歩留りでSOI基板を製造する。【解決手段】 第1シリコン基板11の表面にエピタキシャル成長法によりシリコン単結晶薄膜12を形成する。第1基板の単結晶薄膜12上に酸化膜13を形成する。第1基板の表面から水素イオンを注入して単結晶薄膜12より内部の第1基板に水素イオン注入領域11aを形成する。第1基板を酸化膜13を介して第2シリコン基板14に重ね合わせて密着させる。第1基板を第2基板に密着させたまま熱処理して第1基板を水素イオン注入領域11aで第2基板から分離して第2基板の表面に単結晶薄膜12を露出させる。表面に単結晶薄膜12を有する第2基板を更に熱処理する。
Claim (excerpt)：
第1シリコン基板(11)の表面にエピタキシャル成長法によりシリコン単結晶薄膜(12)を形成する工程と、前記第1シリコン基板(11)のシリコン単結晶薄膜(12)上に酸化膜(13)を形成する工程と、前記第1シリコン基板(11)の表面から水素イオンを注入して前記シリコン単結晶薄膜(12)より内部の第1シリコン基板(11)に水素イオン注入領域(11a)を形成する工程と、前記第1シリコン基板(11)を前記酸化膜(13)を介して支持基板となる第2シリコン基板(14)に重ね合わせて密着させる工程と、前記第1シリコン基板(11)を前記第2シリコン基板(14)に密着させたまま所定の温度で熱処理して前記第1シリコン基板(11)を前記水素イオン注入領域(11a)で前記第2シリコン基板(14)から分離して前記第2シリコン基板(14)の表面に前記シリコン単結晶薄膜(12)を露出させる工程と、表面に前記シリコン単結晶薄膜(12)を有する前記第2シリコン基板(14)を更に熱処理する工程とを含むSOI基板の製造方法。
IPC (3)：
H01L 27/12 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265
FI (3)：
H01L 27/12 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 Q
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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