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J-GLOBAL ID：200903037156984589

化合物半導体素子

Inventor：
鈴木 由佳里

About 鈴木 由佳里


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 菅原 正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003051927
Publication number (International publication number)：2004260114
Application date： Feb. 27, 2003
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：
【課題】GaN系化合物特有の素子特性を損ねることなく、ゲート電極における電流リークを生じにくくした化合物半導体素子を提供する。【解決手段】HEMT1の電子供給層110はAlxGa1-xNからなり、また、チャネル層119はGaNからなる。そして、電子供給層110の、ゲート電極の位置する側の表面が、AlyGa1-yN(ただし、y>x)からなるキャップ層112にて覆われてなり、該キャップ層112上にゲート電極108が形成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
Gaを必須とするIII族元素の窒化物からなる電子供給層と、該電子供給層から電子の供給を受けるチャネル層と、前記電子供給層上にショットキー電極からなるゲート電極とを有し、 前記電子供給層はAlxGa1-xNからなり、また、前記チャネル層は該電子供給層よりもGaN混晶比の高いIII族元素の窒化物からなり、さらに、 前記電子供給層の、前記ゲート電極の位置する側の表面が、AlyGa1-yN(ただし、y>x)からなるキャップ層にて覆われてなり、該キャップ層上に前記ゲート電極が形成されてなることを特徴とする化合物半導体素子。
IPC (3)：
H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812
FI (1)：
H01L29/80 H
F-Term (17)：
5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK02 ,  5F102GL02 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GM10 ,  5F102GQ01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV05 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • GaN系HEMTのシミュレーション装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-077644   Applicant：株式会社東芝
  • 半導体素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-056788   Applicant：ソニー株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-291502   Applicant：株式会社デンソー
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