パターン欠陥検査方法及び検査装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995052947
Publication number (International publication number)：1996247738
Application date： Mar. 13, 1995
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】ハーフトーンマスクについても従来のクロムマスクと同様に、微小な欠陥を精度良く検出できるパターン欠陥検査方法を提供することにある。【構成】ハーフトーンマスク1に光を照射し、マスク1のパターン像を受光素子5により受光すると共に、パターン像に対応する2値の設計データから多値の基準データを作り出し、受光されたパターン像に対応する観測データと基準データとを比較することによりパターン欠陥を検査するパターン欠陥検査方法において、観測データと基準データとを比較する前に、マスク面上パターンの半透明部を非透明部とみなした半透明部の観測データと該半透明部に相当する基準データとを一致させるように、センサアンプのオフセットを調整し、試料面上パターンの透明部の観測データと該透明部に相当する基準データとを一致させるように、センサアンプのゲインを調整することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

パターンが形成された試料に所定波長の光を照射し、試料のパターン像を光学系を通して受光素子により受光すると共に、パターン像に対応する2値の設計データから多値の設計パターンイメージデータを作り出し、受光されたパターン像に対応する観測データと設計パターンイメージデータとを比較することにより試料面上パターンの欠陥を検査するパターン欠陥検査方法において、前記観測データと設計パターンイメージデータとを比較する前に、試料面上パターンの半透明部を非透明部とみなした半透明部の観測データと該半透明部に相当する設計パターンイメージデータとを一致させるように、受光素子アンプのオフセットを調整し、かつ試料面上パターンの透明部の観測データと該透明部に相当する設計パターンイメージデータとを一致させるように、受光素子アンプのゲインを調整することを特徴とするパターン欠陥検査方法。

IPC (4)：

G01B 11/24 , G01N 21/88 , H01L 21/027 , H01L 21/66

FI (5)：

G01B 11/24 F , G01N 21/88 E , H01L 21/66 J , H01L 21/66 H , H01L 21/30 502 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

パターン検査方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-324548 Applicant：株式会社東芝
特公昭63-003450

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