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J-GLOBAL ID：200903037240665405
新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパタ-ン形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小島 隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999255167
Publication number (International publication number)：2000159758
Application date： Sep. 09, 1999
Publication date： Jun. 13, 2000
Summary：
【要約】【構成】 下記一般式(1)で示されるラクトン含有化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R5を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R5を示す。R3は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R4は水素原子又はCO2R5を示す。R5は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。XはCH2、CH2CH2、O又はSを示す。)【効果】 本発明の高分子化合物をベース樹脂としたレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。
Claim (excerpt)：
下記一般式(1)で示されるラクトン含有化合物。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCH2CO2R5を示す。R2は水素原子、メチル基又はCO2R5を示す。R3は炭素数1〜8の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R4は水素原子又はCO2R5を示す。R5は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。XはCH2、CH2CH2、O又はSを示す。)
IPC (5)：
C07D307/93
, C07D493/18
, C08F 20/28
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
C07D307/93
, C07D493/18
, C08F 20/28
, G03F 7/039 601
, H01L 21/30 502 R
