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J-GLOBAL ID:200903037274874836

アクリル系共重合体およびそれを含有する反射防止膜形成組成物並びにレジスト膜の形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岩見谷 周志
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999149872
Publication number (International publication number):2001027810
Application date: May. 28, 1999
Publication date: Jan. 30, 2001
Summary:
【要約】【課題】反射防止膜は反射防止効果が高く、レジスト膜とインターミキシングを生じることがなく、エッチング速度が高く、解像度及び精度等に優れたレジストパターンを形成しうる反射防止膜形成組成物を提供する。【解決手段】一般式(1)で示される構造単位および下記一般式(2)で示される構造単位を有する共重合体、該共重合体と溶剤とを含有する反射防止膜形成組成物。【化1】(式中、R1は水素原子、ハロゲン原子または炭素原子数1〜6の炭化水素基など、R2は、水素原子またはメチル基を示し、mは1〜9の整数を示す。)【化2】(式中、R3は、水素原子またはメチル基を示し、R4は、水素原子または有機基を示す。)
Claim (excerpt):
下記一般式(1)で示される構造単位および下記一般式(2)で示される構造単位を有する共重合体:【化1】(式中、R1は水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1〜6の炭化水素基、ニトロ基、第1級アミノ基、ヒドロキシ基、 アシル基、カルボキシル基、スルホン基またはメルカプト基を示し、R1が複数存在する場合にはそれらは同一でも異なってもよく、R2は、水素原子またはメチル基を示し、mは1〜9の整数を示す。)【化2】(式中、R3は、水素原子またはメチル基を示し、R4は、水素原子または有機基を示す。)。
IPC (7):
G03F 7/11 503 ,  C08F220/12 ,  C08F220/58 ,  C08L 33/04 ,  C08L 33/26 ,  G03F 7/027 514 ,  H01L 21/027
FI (7):
G03F 7/11 503 ,  C08F220/12 ,  C08F220/58 ,  C08L 33/04 ,  C08L 33/26 ,  G03F 7/027 514 ,  H01L 21/30 574
F-Term (44):
2H025AA00 ,  2H025AA02 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA34 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  2H025FA41 ,  4J002BC011 ,  4J002BF011 ,  4J002BG041 ,  4J002BG051 ,  4J002BG071 ,  4J002BG101 ,  4J002BG131 ,  4J002BH001 ,  4J002FD150 ,  4J002FD206 ,  4J002GH01 ,  4J002GP03 ,  4J100AL08P ,  4J100AM41Q ,  4J100BA03P ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04Q ,  4J100BA05Q ,  4J100BA06Q ,  4J100BA14P ,  4J100BA16P ,  4J100BA29P ,  4J100BA41P ,  4J100BA52P ,  4J100BA58P ,  4J100BB01P ,  4J100BB03P ,  4J100BC48P ,  4J100CA04 ,  4J100JA38 ,  5F046PA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 光重合性組成物
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平3-082914   Applicant:キヤノン株式会社, サンノプコ株式会社

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