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J-GLOBAL ID：200903037289032750

電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ並びにそれを用いたセンサ

Inventor： 松本 和彦 ,  小島 厚彦 ,  長尾 哲 ,  加藤 尚範 ,  山田 豊 ,  長池 一博 ,  井福 康夫 ,  三谷 浩
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構 ,  三菱化学株式会社
Agent (1)： 真田 有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003307798
Publication number (International publication number)：2005079342
Application date： Aug. 29, 2003
Publication date： Mar. 24, 2005
Summary：

【課題】 高感度の検出感度が要求される検出対象物質の検出を可能としたセンサを提供する。【解決手段】基板2と、基板2に設けられたソース電極4及びドレイン電極5と、ソース電極4及びドレイン電極5間の電流通路になるチャネル6とを備えた電界効果トランジスタ1Aを有し、検出対象物質を検出するためのセンサにおいて、電界効果トランジスタ1Aが、検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質10を固定するための相互作用感知ゲート9と、相互作用を電界効果トランジスタ1Aの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲート7とを有するように構成する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板と、該基板に設けられたソース電極及びドレイン電極と、上記のソース電極及びドレイン電極間の電流通路になるチャネルとを備えた電界効果トランジスタを有し、検出対象物質を検出するためのセンサであって、 該電界効果トランジスタが、 該検出対象物質と選択的に相互作用をする特定物質を固定するための相互作用感知ゲートと、 該相互作用を該電界効果トランジスタの特性の変化として検出するべく電圧を印加されるゲートとを有する ことを特徴とする、センサ。

IPC (4)：

H01L29/80 ,  G01N27/414 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

FI (7)：

H01L29/80 A ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/66 S ,  G01N27/30 301N ,  G01N27/30 301U ,  G01N27/30 301V ,  G01N27/30 301W

F-Term (11)：

5F102FB10 ,  5F102GB01 ,  5F102GC05 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F102GJ09 ,  5F102GL10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• センサー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-064142   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (4)

• 特公平5-072979
  
• 化学的にゲート動作する単一電子トランジスタを使用したセンシングデバイス
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-517431   Applicant：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
• 半導体イオンセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-363960   Applicant：松下電工株式会社
• 特公昭58-019984
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• カーボンナノチューブを用いた量子効果ナノデバイスの集積化技術を開発
• Electronic Detection of Specific Protein Binding Using Nanotube FET Devices
• 位置制御成長カーボンナノチューブの作成とデバイス応用
• 位置制御成長カーボンナノチューブへの欠陥誘起による電気特性変化
• カーボンナノチューブの新展開