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J-GLOBAL ID：200903037429545729

エピタキシャル膜形成装置用のサセプタ、エピタキシャル膜形成装置、エピタキシャルウェーハ及びエピタキシャルウェーハの製造方法

Inventor：
金原 秀明

About 金原 秀明


Applicant, Patent owner：
株式会社SUMCO

About 株式会社SUMCO


Agent (3)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  村山 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007284512
Publication number (International publication number)：2009111296
Application date： Oct. 31, 2007
Publication date： May. 21, 2009
Summary：
【課題】エピタキシャルウェーハ全体における厚みのバラツキを小さくすることが可能なサセプタを提供する。【解決手段】半導体ウェーハ22を収容する平面視略円形の凹部21aが設けられ、凹部21aには半導体ウェーハ22を支持する平面視略円形の凸部21dが設けられ、凸部21dの直径d1が凹部21aの直径d2よりも小とされ、かつ凸部21dの直径d1が、凹部21aに半導体ウェーハ22が載置された際に凸部21dと半導体ウェーハ22との境界全体に気相成長反応に供される反応ガスが流通可能となる大きさに設定されていることを特徴とするエピタキシャル膜形成装置用のサセプタ21を採用する。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
エピタキシャル膜形成装置の成膜室内に設置されるサセプタであって、 半導体ウェーハを収容する平面視略円形の凹部が設けられ、前記凹部には前記半導体ウェーハを支持する平面視略円形の凸部が設けられ、前記凸部の直径が前記凹部の直径よりも小とされ、かつ前記凸部の直径が、前記凹部に前記半導体ウェーハが載置された際に前記凸部と前記半導体ウェーハとの境界全体に気相成長反応に供される反応ガスが流通可能となる大きさに設定されていることを特徴とするエピタキシャル膜形成装置用のサセプタ。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/458 ,  C30B 25/12
FI (3)：
H01L21/205 ,  C23C16/458 ,  C30B25/12
F-Term (38)：
4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077DB04 ,  4G077EE06 ,  4G077EE08 ,  4G077EF01 ,  4G077EG03 ,  4G077EG16 ,  4G077EG24 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA11 ,  4G077TA12 ,  4G077TC13 ,  4G077TE05 ,  4G077TF02 ,  4G077TH07 ,  4G077TK08 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA23 ,  4K030KA47 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC05 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045DP07 ,  5F045DP27 ,  5F045DQ04 ,  5F045EM02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (7)
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