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J-GLOBAL ID：200903037472271969

ポリアセン化合物及びその合成方法

Inventor：
成田 吉徳

About 成田 吉徳

, 
焼山 正敏

About 焼山 正敏

, 
長田 一人

About 長田 一人

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夏目 穣

About 夏目 穣


Applicant, Patent owner：
旭化成株式会社

About 旭化成株式会社


Agent (3)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004029701
Publication number (International publication number)：2004256532
Application date： Feb. 05, 2004
Publication date： Sep. 16, 2004
Summary：
【課題】 高い移動度を発現し且つ溶媒に対する溶解性に優れる有機半導体材料及びその合成方法を提供する。また、高い移動度を有する有機半導体薄膜、及び、電子特性の優れた有機半導体素子を提供する。【解決手段】 ソース・ドレイン電極として金電極のパターンを形成したシリコン基板上に、真空蒸着法により膜厚80nmの2,3,9,10-テトラメチルペンタセンの薄膜を形成し、トランジスタ構造とした。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
下記の化学式(I)で表されるような構造を有することを特徴とするポリアセン化合物。
IPC (5)：
C07C15/20 ,  C07C1/22 ,  C07C50/22 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (5)：
C07C15/20 ,  C07C1/22 ,  C07C50/22 ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B
F-Term (36)：
4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AB91 ,  4H006AC12 ,  4H006AC28 ,  4H006BD80 ,  5F110AA01 ,  5F110BB02 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 特許第4219807号
  • 置換ペンタセン半導体
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-531543   Applicant：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
  • 特開平2-025488
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Cited by examiner (5)
  • 特許第4219807号
  • 置換ペンタセン半導体
    Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-531543   Applicant：スリーエムイノベイティブプロパティズカンパニー
  • 特開平2-025488
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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