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J-GLOBAL ID：200903094090350676

置換ペンタセン半導体

Inventor：
スミス,テランス ピー.

About スミス,テランス ピー.

, 
ボーゲル,デニス イー.

About ボーゲル,デニス イー.

, 
ボーゲル,キム エム.

About ボーゲル,キム エム.


Applicant, Patent owner：
スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー

About スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー


Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  西山 雅也
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003531543
Publication number (International publication number)：2005504811
Application date： Sep. 27, 2002
Publication date： Feb. 17, 2005
Summary：
置換ペンタセン化合物は、電子供与置換基、ハロゲン置換基及びそれらの組合せからなる群から選択された少なくとも1つの置換基を含んでなり、該置換基は各々、ペンタセンの末端環の炭素原子に結合され、唯一の置換基であり、ただし、該化合物が、共にメチル又はアルコキシであるわずか2つの該置換基しか有さず一方の該置換基が番号2の炭素原子に結合されている場合、もう一方の置換基は、それがメチルである場合には番号1、3、4、8又は11の炭素原子に結合され、アルコキシである場合には番号1、3、4、8、9又は11の炭素原子に結合され;さらに化合物が、全てアルコキシである4つの置換基しか有さない場合、該置換基は番号2、3、9及び10の炭素原子に結合される。
Claim (excerpt)：
電子供与置換基、ハロゲン置換基及びそれらの組合せからなる群から選択された少なくとも1つの置換基を含んでなる置換ペンタセン化合物であって、前記置換基が各々、番号1、2、3、4、8、9、10及び11の炭素原子から選択された少なくとも1つの炭素原子に結合され、かつ唯一の置換基であり、ただし、前記化合物が、共にメチル又はアルコキシであるわずか2つの前記置換基しか有さず一方の前記置換基が前記番号2の炭素原子に結合されている場合、もう一方の前記置換基は、それがメチルである場合には前記番号1、3、4、8又は11の炭素原子に結合され、アルコキシである場合には前記番号1、3、4、8、9又は11の炭素原子に結合されており;さらに前記化合物が、全てアルコキシである4つの前記置換基しか有さない場合、前記置換基は前記番号2、3、9及び10の炭素原子に結合されていることを特徴とする置換ペンタセン化合物。
IPC (3)：
C07C15/20 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00
FI (3)：
C07C15/20 ,  H01L29/28 ,  H01L29/78 618B
F-Term (37)：
4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB78 ,  5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG05 ,  5F110GG06 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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