Pat

J-GLOBAL ID：200903037473714589

絶縁材料、層間絶縁膜および層間絶縁膜の形成方法

Inventor： 塘 洋一 ,  味沢 治彦 ,  佐々木 正義
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995130009
Publication number (International publication number)：1996330300
Application date： May. 29, 1995
Publication date： Dec. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 低誘電率であり、また高耐熱性を有する絶縁膜を形成できる絶縁材料と、該絶縁材料からなる層間絶縁膜とこの形成方法とを提供すること。【構成】 本発明の絶縁材料は、SOG膜形成材料中に、加熱または光照射によってガスを発生するガス発生物質が溶解されてなるものであり、本発明の層間絶縁膜は、上記絶縁材料からなるものである。また本発明の層間絶縁膜の形成方法は、半導体素子の製造に際して、基体上に層間絶縁膜を形成する方法であって、図1(a)、(b)に示すように上記絶縁材料2を基体1上に回転塗布した後、基体1上の塗膜3を仮焼成し、次いで図1(c)に示すように塗膜3を加熱しまたは図1(d)に示すように塗膜3に光5を照射し、続いて塗膜3を本焼成することにより図1(e)に示すごとく層間絶縁膜8を形成する。

Claim (excerpt)：

スピンオンガラス膜形成材料中に、加熱または光照射によってガスを発生するガス発生物質が溶解されてなることを特徴とする絶縁材料。

IPC (8)：

H01L 21/316 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  C03C 4/00 ,  H01B 3/24 ,  H01L 21/768 ,  C09D 1/00 PCJ ,  C09D 5/25 PQY

FI (8)：

H01L 21/316 G ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 A ,  C03C 4/00 ,  H01B 3/24 A ,  C09D 1/00 PCJ ,  C09D 5/25 PQY ,  H01L 21/90 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭55-001109
  
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-085659   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開昭61-239945