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J-GLOBAL ID：200903037476407644

高抵抗化スズドープ酸化インジウム膜の成膜方法

Inventor： 河村 潔 ,  斉藤 一徳 ,  瀬田 康弘
Applicant, Patent owner： 日本曹達株式会社
Agent (1)： 東海 裕作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002217192
Publication number (International publication number)：2003048752
Application date： Oct. 28, 1992
Publication date： Feb. 21, 2003
Summary：

【要約】【構成】膜中のスズ含有量がインジウムに対して10〜40重量%で成膜する方法。さらに、上記の成膜方法と酸素を含む雰囲気中で200°C以上の温度で加熱処理する方法を併用した高抵抗化スズドープ酸化インジウム膜の成膜方法である。【効果】膜中のSnドープ量をコントロールすることで比較的容易に均一性の良好な200Ω〜1000Ω/□のシート抵抗の高抵抗化スズドープ酸化インジウム膜を得ることができるのでその実用的価値は極めて大きい。

Claim (excerpt)：

膜中のスズ含有量がインジウムに対して10〜40重量%で成膜してシート抵抗の均一性が6%以内であることを特徴とするスズドープ酸化インジウム膜の成膜方法。

IPC (2)：

C03C 17/245 ,  C03C 17/25

FI (2)：

C03C 17/245 A ,  C03C 17/25 Z

F-Term (5)：

4G059AA08 ,  4G059AC12 ,  4G059EA03 ,  4G059EB04 ,  4G059EB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• スズドープ酸化インジウム膜の高抵抗化方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-312940   Applicant：日本曹達株式会社
• 特開平3-112850
  
• 特開昭58-059509
  
• 特開平4-032106
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 焼結体ターゲット