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J-GLOBAL ID:200903037508697011
ラッチ回路、データ出力回路及びこれを有する半導体装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
伊東 忠彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997340082
Publication number (International publication number):1999176158
Application date: Dec. 10, 1997
Publication date: Jul. 02, 1999
Summary:
【要約】【課題】 回路遅延を小さくして高速動作が行えるラッチ回路、データ出力回路及びデータ出力回路を有する半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 Nビットのパラレルデータが入力する入力端子に並列に接続された複数のNビット構成のデータラッチ回路と、該データラッチ回路を順番にデータ入力状態とし、前記パラレルデータを所定の順番で前記複数のデータラッチ回路に入力させるデータ入力制御回路と、前記データラッチ回路にラッチされたデータを、ラッチされた順番でかつMビット(N≧M)の出力端子に異なるタイミングで出力させるデータ出力制御回路とを有する。
Claim (excerpt):
Nビットのパラレルデータが入力する入力端子に並列に接続された複数のNビット構成のデータラッチ回路と、該データラッチ回路を順番にデータ入力状態とし、前記パラレルデータを所定の順番で前記複数のデータラッチ回路に入力させるデータ入力制御回路と、前記データラッチ回路にラッチされたデータを、ラッチされた順番でかつMビット(N≧M)の出力端子に異なるタイミングで出力させるデータ出力制御回路とを有することを特徴とするラッチ回路。
IPC (4):
G11C 11/407
, G06F 5/06 333
, G06F 13/38 310
, G11C 11/409
FI (4):
G11C 11/34 362 S
, G06F 5/06 333
, G06F 13/38 310 E
, G11C 11/34 354 Q
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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半導体メモリ装置とその読出及び書込方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-240762
Applicant:三星電子株式会社
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半導体メモリ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-266363
Applicant:日本電気株式会社
-
同期型半導体記憶装置およびそのデータ読出方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-021426
Applicant:三菱電機株式会社
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