Pat
J-GLOBAL ID：200903037539167797

半導体装置、その製造方法及び製造装置

Inventor：
大音 光市

About 大音 光市

, 
松井 孝幸

About 松井 孝幸


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 鈴木 弘男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000185275
Publication number (International publication number)：2002009150
Application date： Jun. 20, 2000
Publication date： Jan. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】 半導体装置において、ダマシン法により形成したCuに凝集を生じさせない層間絶縁に関する。【解決手段】 Cu配線上にCVD法により2層以上の多層構造のCu拡散防止絶縁層を形成する。そてその際1層目の第1絶縁膜16を300°C以下の低温で成膜し、第2層目の第2絶縁膜18を350°Cから450°Cの範囲の高温で成膜することとした。これにより、Cuに凝集を生じさせず、しかもエッチングの際の保護層として機能する。
Claim (excerpt)：
ダマシン法で形成されるCu配線と該Cu配線の上層の金属配線との間に形成される層間絶縁膜が、Cu拡散防止絶縁層と他の絶縁膜の積層構造であり、前記層間絶縁膜に前記Cu配線と前記金属配線層とを接続する接続孔をドライエッチングによって開口する際、前記他の絶縁層をエッチングし、フォトレジストを除去した後前記Cu拡散防止絶縁層を除去する半導体装置において、前記Cu拡散防止絶縁層を2層以上の積層構造としたことを特徴とする半導体装置。
IPC (7)：
H01L 21/768 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/36 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205
FI (7)：
C23C 16/30 ,  C23C 16/32 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/36 ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/88 M
F-Term (50)：
4K030AA06 ,  4K030AA18 ,  4K030BA37 ,  4K030BA40 ,  4K030BA41 ,  4K030BB12 ,  4K030BB13 ,  4K030HA04 ,  4K030JA10 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX00 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD10 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM