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J-GLOBAL ID：200903037592121022

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor：
高野 和人

About 高野 和人


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 油井 透
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005148068
Publication number (International publication number)：2006321696
Application date： May. 20, 2005
Publication date： Nov. 30, 2006
Summary：
【課題】 従来よりも傾斜角度の小さい傾斜基板上に、3C構造を生じさせずにエピタキシャル層を成長することが可能な炭化珪素単結晶の製造方法を提供することにある。【解決手段】 珪素の水素化ガスと炭化水素ガスをキャリアガスと共に加熱したSiC基板5上に供給し、熱分解反応により単結晶を成長させるCVD法による炭化珪素単結晶の製造方法において、上記SiC基板5として、(0001)面から小さい傾斜角度で傾斜したSiC単結晶基板を用い、このSiC単結晶基板上に、珪素の水素化ガス、炭化水素ガス及びキャリアガスと共に、HClガスを同時に供給する。傾斜角度は、4HのSiC単結晶基板の場合、0.5〜7.0°の範囲、6HのSiC単結晶基板場合、0.5〜2.5°の範囲とする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
珪素の水素化ガスと炭化水素ガスをキャリアガスと共に加熱したSiC基板上に供給し、熱分解反応により単結晶を成長させるCVD法による炭化珪素単結晶の製造方法において、 上記SiC基板として、(0001)面から小さい傾斜角度で傾斜したSiC単結晶基板を用い、このSiC単結晶基板上に、珪素の水素化ガス、炭化水素ガス及びキャリアガスと共に、HClガスを同時に供給することを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (4)：
C30B 29/36 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (4)：
C30B29/36 A ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 A
F-Term (27)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB04 ,  4G077DB07 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EH09 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TA04 ,  4G077TA08 ,  4G077TB02 ,  4G077TJ02 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  5F041CA33 ,  5F045AA03 ,  5F045AB06 ,  5F045AC00 ,  5F045AC01 ,  5F045AC13 ,  5F045AD18 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045BB08 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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